Jūs esate neprisijungęs lankytojas. Norint dalyvauti diskusijose, būtina užsiregistruoti ir prisijungti prie forumo.
Prisijungę galėsite kurti naujas temas, atsakyti į kitų užduotus klausimus, balsuoti forumo apklausose.
Administracija pasilieka teisę pašalinti pasisakymus bei dalyvius,
kurie nesilaiko forumo taisyklių.
Pastebėjus nusižengimus, prašome pranešti.
Dabar yra 2025 05 13, 01:01. Visos datos yra GMT + 2 valandos.
Jūs negalite rašyti naujų pranešimų į šį forumą Jūs negalite atsakinėti į pranešimus šiame forume Jūs negalite redaguoti savo pranešimų šiame forume Jūs negalite ištrinti savo pranešimų šiame forume Jūs negalite dalyvauti apklausose šiame forume
Norėjau pasitikslinti dėl MOSFET grandinės projektavimo (vyko pokalbis dėl įsidarbinimo).
Buvo prieita iki klausimo, o koks turi būti GATE įtampos lygis, kaip aš projektuočiau ne tiesinę, o raktinę grandinę su MOSFET tranzistoriumi (paimkime gyvą pavyzdį IRFZ44N http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfz44n.pdf ).
Sakau pagal tai, kokia bus maksimali Ids srovė, įtampą Ugs reikia naudoti ne mažesnę kaip įtampa x + kažkiek atsargos iš grafiko Nr. 1, t.y. sakykim jei maksimali apkrovos srovės bus 1 A, tai šiam tranzistoriui pilnai galima naudoti 4,5 V ir daugiau valdymo įtampą. Seka klausimas, o jei Ids srovė labai maža, miliamperų eilės ar mažiau, vadovaujatės tuo pačiu principu, MOSFET tranzistorius nepereis į tiesinį režimą? Sakau ne, nepereis, išliks raktinis. Su manimi nesutikta.
Taigi klausimas forumiečiams, ar mano principu projektuojamas raktas prie mažų Ids srovių dirbs tiesiniame režime (kas manyčiau reiškia daug didesnę nei 18 mOm kanalo varžą Rds), ar raktiniame (Rds bus apie 18 mOm, kaip nurodyta datašyte)?
Sakau ne, nepereis, išliks raktinis. Su manimi nesutikta.
Neik darbintis į šią įmonę, jie net personalo atrankai nesugeba parinkti tinkamų žmonių tai ką kalbėti apie kitus...
Čia vieni iš tų kurių jau net nežinau kiek Lietuvoje yra ir kurie kuria vairuotojų sekimo sistemas ?
Paskutinį kartą redagavo Evaldas_S, 2015 07 01, 11:07. Redaguota 1 kartą
taip visos kreives iena pradedant nuo nulio valdymo itampa reguliuoja tik maksimalia srove
bet del to projektavimo tai nelabai aisku tavo teriminai, koks dar tiesinis rezimas raktineje grandineje?
Ir kas ten per klausimas isvis del tu milimaperu?
kaip supratai jis ko gero buvo ar galima tavo skaiciavimu metoda ektrapoliuoti labai mazoms srovems valdyti, ir atsakymas butu ne, nes threshold voltage yra 2v esant mazesnei valdymo itampai mosfetas isjungtas
projektuojant tokia shema tu tiesiog ignoruoji kokia srove tekes per mosfeta o valdymo itampa renki pagal pageidaujama Rds ir pagal savo galimybes kaip kompromisa.
duodant 4.5v valdyma tu turesi ne 18 o kokius 30 miliomu varza
bet del to projektavimo tai nelabai aisku tavo teriminai, koks dar tiesinis rezimas raktineje grandineje?
Bandau suformuluoti:
a) mažinant Ugs įtampą, yra toks taškas, prie kurio schema, numatyta dirbti kaip raktinė, pereina į tiesinį režimą. Kalba nėjo apie 2V treshold'ą, nes tokios kreivės grafike net nėra, o apie tai, jog tarkim IRFZ44N atveju su Ugs = 4,5 V tranzistorius su 1 A apkrova dirbs raktiniame režime (nes projektuotas raktiniam režimui), o štai esant apkrovos srovei 1 mA tranzistorius pereidinės į tiesinį režimą anot klausiančiojo. Nepatikėjau, bet vistiek pasiklausiau čia. Gal kada surinksiu schemutę matavimui;
b) truputį toliau nuo temos, tiesinis režimas yra visuose impulsiniuose maitblokiuose, tame mažame laiko intervale, kai tranzistoriaus būsena pereina iš ON į OFF arba atvirkščiai.
Visa esme atrankoje buvo visai ne tas MOSFET klausimas
P.S. Gal i atranka su ziguliu atvykai?
Kur atrankos esmė nesvarbu, man svarbu užlopyti savo žinių spragas, jei tokių yra. Nepamenu, arba su žiguliu, arba su interceptoriumi (prieš techninę apžiūrą mat tenka perrinkti iki gamyklinės būsenos )
a) mažinant Ugs įtampą, yra toks taškas, prie kurio schema, numatyta dirbti kaip raktinė, pereina į tiesinį režimą. Kalba nėjo apie 2V treshold'ą, nes tokios kreivės grafike net nėra, o apie tai, jog tarkim IRFZ44N atveju su Ugs = 4,5 V tranzistorius su 1 A apkrova dirbs raktiniame režime (nes projektuotas raktiniam režimui), o štai esant apkrovos srovei 1 mA tranzistorius pereidinės į tiesinį režimą anot klausiančiojo. Nepatikėjau, bet vistiek pasiklausiau čia. Gal kada surinksiu schemutę matavimui;
Suprantama mosfetas i sroves sumazinima niekaip nesureaguos tiesiog itampos kritimas atitinkamai sumazes lyginant su 1A srove
Citata:
b) truputį toliau nuo temos, tiesinis režimas yra visuose impulsiniuose maitblokiuose, tame mažame laiko intervale, kai tranzistoriaus būsena pereina iš ON į OFF arba atvirkščiai.
nemanau kad teisinga tai vadinti tiesiniu rezimu. Tai tiesiog perjungimo nuostoliai.
na is grafiku prie 25 laipsniu akivaizdu , kad nuo +5 Rds tampa daug maz pastovus tai ta minimali itampa raktui turetu buti tie 5 v o ne 4.5 prie kurios Rds bent 3 kartus didesnis . sunku suprasti ka cia vadinat tiesiniu rezimu bet jei valdantii itampa apie 4.5 tranzistoriaus varza kazkiek keisis ja keiciant ,o kartu keisis ir iUds
bet keliems miliamperams rakineti reiketu ieskoti kito tranzistoriaus ...
tikriausiai, žiūrėjo, kaip tu reaguoji į situaciją, o ne tavo postringavimų techniniais klausimais.
aš atrankose sakau atsuk šitą stalo varžtą. Pats įdomiausias dalykas stebėti žmogaus reakciją. Vienas sėdi pasipūtęs lyg siūlyčiau jam apnuoginti užpakalį, o kitas dar nebaigus sakinio jau pusę varžto išsukęs nagais ragais ar dantų krapštuku.
?
