Jūs esate neprisijungęs lankytojas. Norint dalyvauti diskusijose, būtina užsiregistruoti ir prisijungti prie forumo.
Prisijungę galėsite kurti naujas temas, atsakyti į kitų užduotus klausimus, balsuoti forumo apklausose.
Administracija pasilieka teisę pašalinti pasisakymus bei dalyvius,
kurie nesilaiko forumo taisyklių.
Pastebėjus nusižengimus, prašome pranešti.
Dabar yra 2025 09 19, 00:09. Visos datos yra GMT + 2 valandos.
Jūs negalite rašyti naujų pranešimų į šį forumą Jūs negalite atsakinėti į pranešimus šiame forume Jūs negalite redaguoti savo pranešimų šiame forume Jūs negalite ištrinti savo pranešimų šiame forume Jūs negalite dalyvauti apklausose šiame forume
Tekant nuolatinei srovei atidarytu tiristoriu ji galima atjungti ligegreciai grandine nukreipus srove arba kitaip tariant uztrumpinus tiristoriaus anaoda ir katoda. Tai veikia prie mazu sroviu. Ar tokiu budu imanoma tiristoriu atjungti esant dideliai srovei, tarkime 30v 200A ?
Tekant nuolatinei srovei atidarytu tiristoriu ji galima atjungti ligegreciai grandine nukreipus srove arba kitaip tariant uztrumpinus tiristoriaus anaoda ir katoda. Tai veikia prie mazu sroviu. Ar tokiu budu imanoma tiristoriu atjungti esant dideliai srovei, tarkime 30v 200A ?
Galima, kitu tiristoriumi iškraunant (priešinga srovės kryptimi) didelės talpos kondensatorių. Tokį variantą mačiau kažkur literatūroje.
Šiaip yra ir uždaromų tiristorių, tik kadangi mažai su jais turėjau reikalų tai nežinau iki kokių srovių jie būna.
Galima. Tas veikia ir didelėm srovėm. Tačiau kuo trumpinti-reikia relės atitinkamai srovei. Su priešinga įtampa įkrauto kondensatoriaus trumpu pajungimu-iškrovimu irgi veikia. Bet iš tikro-kam to reikia? Dabar yra galingų IGBT, MOSFET tranzistorių, kurie tokiem reikalam labiau tinka.
jei reikalas ne kainoje ir dar poreikis didesniam dazniui - tiristorius/simistorius tikrai nekoks pasirinkimas, ir kaista nepalyginamai stipriau uz IGBT, ypac MOSFET ir dazniai dazniausiai keli simtai Hz, na max keli kHz, valdymas nekoks ir t.t.
MOSFET mazai kaista, greiti, salyginai gera kaina, bet maza itampa.
IGBT didele itampa, salyginai leti ir salyginai karsti ir dar nesvietiskai brangus.
tiristiriai/simistoriai pasiteisina kai reikia 1000A (ir daugiau) pramoninio daznio, max iki keliu simtu Hz, pavaldyti.
Kam to reikai?! Mintis panaudoti tiristoriu variklio apsuku valdikliui be sroves ribojimo. Klausimas principe techninis, apie varksa varikli diskutuoti neaktualu. Kodel tiristorius. Todel kad imanoma pusvelciu gauti pramoniniu tiristoriu 250-500A.
Uzrakinamas tiristorius bus perbrangu. Trumpinant kondensatoriumi kaip ten bebutu jis kais ir vel gi brangu.
Daznis maziau nei 100-600Hz. Isiungimui suntuoti tiristoriu naudojant MOSFET. Suntuojant kaip suprantu MOSFET varza tures buti pakankamai maza kad tiristoriui atitenkanti srove butu mazesne nei reikalinga jo ijungimui ir tuomet jis uzsirakins.
Tokiu atveju prie mazesnes itampos tai nebrangiai igivendima ,o didejant itampai tektu matit smagiai didinti mosfetu skaiciu.
Galima, kitu tiristoriumi iškraunant (priešinga srovės kryptimi) didelės talpos kondensatorių.
Jei teisingai supratau priesinga kryptimi tai kaip ir ji uztrumpini ,o dar poto reikia vel uzkrauti. Kodel nekaistu, kad ir prie 200Hz kiekviename cikle ji iskraunant ir vel pilnai uzkraunant. Kokia ta didele talpa. Tarkime 30V 200A tiristoriaus isiungimo laikas 300 mikrosekundziun tai cia kiek 2000uf ?
Tarkime 30V 200A tiristoriaus isiungimo laikas 300 mikrosekundziun tai cia kiek 2000uf ?
Schemose kurias mačiau, ten mikrofaradų...dešimčių mikrofaradų eilės.
Nekais ten niekas nuo tokių trumpų impulsų, tai kas, kad srovės didelės, bet jos trumpalaikės.
Tiristorius prie 100A tarkime su 1.5V kritimu suvartos 150W
Mosfetas su 0.01 omo varza prie tos pacios sroves suvartos 100W ir tai tik jei jo valdimas bus idealus.
Pastacius du mosfetus dvigubai sumaziname nuostolius ,o pastacisu du tiristorius jei teisingai supratau liekame prie tu paciu 1.5V kritimo...
