 |
|
|
Elektronika.lt portalo forumas
Jūs esate neprisijungęs lankytojas. Norint dalyvauti diskusijose, būtina užsiregistruoti ir prisijungti prie forumo.
Prisijungę galėsite kurti naujas temas, atsakyti į kitų užduotus klausimus, balsuoti forumo apklausose.
Administracija pasilieka teisę pašalinti pasisakymus bei dalyvius,
kurie nesilaiko forumo taisyklių.
Pastebėjus nusižengimus, prašome pranešti.
Dabar yra 2026 02 12, 18:49. Visos datos yra GMT + 2 valandos.
|
|
|
 |
Forumas » Elektronika žaliems » K8055 PWM signalo stiprinimas su operaciniu stiprintuvu
|
Jūs negalite rašyti naujų pranešimų į šį forumą
Jūs negalite atsakinėti į pranešimus šiame forume
Jūs negalite redaguoti savo pranešimų šiame forume
Jūs negalite ištrinti savo pranešimų šiame forume
Jūs negalite dalyvauti apklausose šiame forume
|
|
|
Puslapis 4 iš 4
Pereiti prie Atgal 1, 2, 3, 4 |
|
|
 |
K8055 PWM signalo stiprinimas su operaciniu stiprintuvu |
 Parašytas: 2011 06 21, 08:17 |
  |
|
|
|
kaip pasiskaičiuot n-FET tranzo atidarymo įtampą? Viskas veikia gražiai, naudojau gnt pateiktą schemą:
Tik pull up rezistorių panaudojau 10kOm. O N-FET naudoju IRFZ44N. Viskas kaip ir veikia, bet tranzas laaabai greitai įkaista ir gan stipriai. Po kokių 30s ranka dega palietus radiatorių. Įtariu kad nepilnai man atsidaro tranzas ir visa energija išeina šiluminiais nuostoliais. PWM duoda apie 4.6V, bet kaista labai. Ir dar reikia invertuot signalą, bet tai pasidarysiu su programa.
Klausimas kaip iš duotų parametrų pasiskaičiuoti kokios reikia įtampos pilnai atidaryti tranzą? Akumuliatorių kolkas naudojau 1000mAh 7.4V 20-30C |
|
|
|
|
|
|
|
K8055 PWM signalo stiprinimas su operaciniu stiprintuvu |
| Parašytas: 2011 06 21, 11:09 |
|
|
|
|
IRFZ44 ir kiti "paprasti" MOSFETai cia nelabai tinka - per maza maitinimo itampa
tau reikia logic level MOSFETo
tas, kuris nurodytas schemoje - butent toks ir yra
ir dar vienas ne maziau svarbus momentas - tu idejai neleistinai didele varza 
prie 10 kiloomu tranzas labai letai uzsidarineja, sitai gali buti pagrindine didelio kaitimo priezastimi
dek 220omu , o dar geriau 150 ar net 100 omu ir ne maziau kaip 0,5W varza
kuo mazesne varza - tuo greiciau tranzas uzsidarines ir maziau kais
K8055 ploksteje staovintis tranziukas, prie kurio atviro kolektoriaus jungiasi sita varza absoliuciai patikimai laiko 100mA, taip kad varza drasiai galima mazinti iki standartinio 62 omu nominalo |
|
Paskutinį kartą redagavo gnt, 2011 06 21, 11:11. Redaguota 1 kartą |
|
|
|
|
|
K8055 PWM signalo stiprinimas su operaciniu stiprintuvu |
| Parašytas: 2011 06 21, 11:10 |
|
|
|
|
| edvardasm rašo: |
kaip pasiskaičiuot n-FET tranzo atidarymo įtampą? Viskas veikia gražiai, naudojau gnt pateiktą schemą:
k pull up rezistorių panaudojau 10kOm. O N-FET naudoju IRFZ44N. Viskas kaip ir veikia, bet tranzas laaabai greitai įkaista ir gan stipriai. |
Ir vėl tu viską painioji  IRFZ44N yra N-FET, (http://www.lemona.lt/index.php?page=item&i_id=49542)
Gnt schemoje nupieštas P-FET, po to temoje buvo ilgai aiškinamasi skirtumai tarp jų. O tu trukt už vadžių vėl iš pradžių.
Kitų klausimų kol kas nenagrinėjam, nes jie beprasmiški su šituo tranzistoriumi jei jis įjungtas pagal duotą schemą. |
|
_________________
If nobody hates you you're doing something boring |
|
|
|
|
|
K8055 PWM signalo stiprinimas su operaciniu stiprintuvu |
| Parašytas: 2011 06 21, 11:22 |
|
|
|
|
Taip, taigi šnekėjom apie tuos skirtumus. Aš naudojau N-FET, nes ji gavau paprasčiau ir kaip supratau esminis skirtumas tarp N-FET ir P-FET tas jog naudojant P-FET man nereiktų signalo papildomai invertuoti, o dabar su N-FET turėčiau invertuoti signalą, dabar tranzas atidarytas kai pwm 0 ir uždarytas, kai pwm 100%. Beto P-FET bent evitoj tai visi SMD, tad nelabai man noris su jais prasidėt. Geriau darysiu signalo inverterį.
Dašilo dabar man kuo logic level skirias nuo paprastų |
|
|
|
|
|
|
|
K8055 PWM signalo stiprinimas su operaciniu stiprintuvu |
| Parašytas: 2011 06 30, 10:24 |
|
|
|
|
| edvardasm rašo: |
Taip, taigi šnekėjom apie tuos skirtumus. Aš naudojau N-FET, nes ji gavau paprasčiau ir kaip supratau esminis skirtumas tarp N-FET ir P-FET tas jog naudojant P-FET man nereiktų signalo papildomai invertuoti, o dabar su N-FET turėčiau invertuoti signalą, dabar tranzas atidarytas kai pwm 0 ir uždarytas, kai pwm 100%. Beto P-FET bent evitoj tai visi SMD, tad nelabai man noris su jais prasidėt. Geriau darysiu signalo inverterį.
Dašilo dabar man kuo logic level skirias nuo paprastų |
Gaila,kad tau "nedašilo"jog gnt duotoje schemoje jokiu būdu negalima naudoti n-MOS FET  .
Juk,kai ant G bus+6V,tai ant S(ir ant apkrovimo varžos) bus tik apie 2,5V,nes 3,5V reikalingi,kad FET atsidarytų.Taigi,3,5V kris ir ant atidaryto FET kanalo(D-S).Jeigu srovė-3A,tai tranzas turi išsklaidyti 3*3,5=10.5W galingumą(todėl jis ir kaista).
G(gate),S(source),D(drain) - MOS FET elektrodai. |
|
|
|
|
|
|
 |
Google paieška forume |
|
|
|
Naujos temos forume |
|
|
FS25 Tractors
Farming Simulator 25 Mods,
FS25 Maps,
FS25 Trucks |
|
ETS2 Mods
ETS2 Trucks,
ETS2 Bus,
Euro Truck Simulator 2 Mods
|
|
FS22 Tractors
Farming Simulator 22 Mods,
FS22 Maps,
FS25 Mods |
|
Dantų protezavimas
All on 4 implantai,
Endodontija mikroskopu,
Dantų implantacija |
|
FS25 Mods
FS25 Maps,
FS25 Cheats,
FS25 Install Mods |
|
FS25 Mods
Farming Simulator 25 Mods,
FS25 Maps |
|
ATS Trailers
American Truck Simulator Mods,
ATS Trucks,
ATS Maps |
 |
RDR2 Mods
Euro Truck Simulator 2 Mods,
WOT Mods,
RDR2 Maps |
|
|
 |
